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        第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區別

        文章出處:責任編輯:人氣:-發表時間:2023-11-03 17:35【

          隨著國家對第三代半導體材料的重視,近年來我國半導體材料市場發展迅猛,CMP Slurry 半導體拋光液的需求也在增長。其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關注,兩者經常被拿來比較。

          同為寬近帶半導體的成員,碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料,它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點。隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求,這類材料的市場需求暴漲,適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

        吉致電子拋光液 氮化鎵和碳化硅.jpg

          ①性能不同:高電子遷移率和電子飽和速度允許更高的工作頻率,高臨界場允許這些器件能在更高的電壓和更低的漏電流中操作。對于射頻和開關電源設備而言,氮化鎵NaG的電子遷移率高于碳化硅SiC,而碳化硅高于硅,故氮化鎵應該最終成為極高頻率的最佳設備材料,高導熱系數意味著材料能夠更有效的傳導熱量,碳化硅具有更高的熱導率,意味著碳化硅器件理論上可以在更高的功率密度下操作。氮化鎵相對較差的導熱性使系統設計人員處理氮化鎵器件的熱量管理面臨一個挑戰。

          ②應用不同:氮化鎵和碳化硅在材料性能上各有優劣,因此在應用領域上各有側重和互補。

          氮化鎵的商業化應用始于led照明和激光器,而射頻和功率器件是發揮氮化鎵寬禁帶半導體特性的主要應用領域。5G基站會用到多發多收天線陣列方案,氮化鎵射頻器件對于整個天線系統的功耗和尺寸都有巨大的改進,因此5G通信將是氮化鎵射頻器件市場的主要增長驅動因素。碳化硅能大大降低功率轉換中的開關損耗,因此具有更好的能源轉換效率,更容易實現模塊的小型化,更耐高溫。目前主要用于高溫、高頻、高效能的大功率元件,如智能電網、交通、新能源汽車、光伏、風電。其中新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅動因素,主要的運動器件有功率控制單元、逆電器、BCDC轉換器、車載充電器等。

          吉致電子關于第三代半導體材料碳化硅、氮化鎵的CMP化學機械表面平坦化工藝,研發的研磨液拋光液,具有低缺陷、高去除率和良好的平坦化效果,我司碳化硅拋光液、氮化鎵拋光液在實際應用中均有良好的表現,數據媲美進口半導體拋光液,可以做到國產化替代。

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