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        什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝

        文章出處:責任編輯:人氣:-發表時間:2024-03-07 17:22【

          碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層,修復切割產生的變形。由于SiC的高硬度的特性,CMP研磨過程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。

          SiC襯底常規雙面磨工藝

        雙面磨工藝又稱DMP工藝,是大部分國內碳化硅襯底廠商規?;a的工藝方案,對碳化硅進行雙面研磨(粗磨/精磨)達到一定的表面平整度和光潔度。

        ①粗磨:采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式

         

        該工藝可以有效的去除線割產生的損傷層,修復面型,降低TTV,Bow,Warp,去除速率穩定,一般能達到0.8-1.2um/min的去除率。但該工藝加工后的晶片表面是亞光面, 粗糙度較大,一般在50nm左右,對后工序的去除要求較高。

        ②精磨:采用聚氨酯發泡Pad+多晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝加工后的碳化硅晶圓表面粗糙度低,能達到Ra<3nm,這更有利于碳化硅襯底片后工序的拋光。

        隨著雙面磨工藝發展,又改良出新的研磨工藝--- 團聚金剛石雙面研磨工藝,該工藝良率高,成本更低,精磨損傷層更低,更有利于拋光,再后續的文章中吉致電子小編會介紹團聚金剛石雙面研磨工藝的具體工序和特點。

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