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        CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎?[ 03-20 17:22 ]
        CMP設備及耗材對工藝效果影響嗎?答案是:有關鍵影響。CMP工藝離不開設備機臺及耗材,其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下:①設備參數:拋光時間、研磨盤轉速、拋光頭轉速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等;②研磨液參數:磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數等 ;③拋光墊參數:硬度、密度、空隙大小、彈性等;④CMP對象薄膜參數:種類、厚度、硬度、化學性質、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等,對 CMP 工藝效應均有關鍵影響。1. CMP 拋
        什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝[ 03-07 17:22 ]
        碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層,修復切割產生的變形。由于SiC的高硬度的特性,CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝,是目前大部分國內碳化硅襯底廠商規?;a的工藝方案,對碳化硅進行雙面研磨(粗磨/精磨)達到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨:采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產生的損傷層,修復面型,
        CMP制程中拋光墊的作用有哪些?[ 02-21 16:15 ]
          CMP技術是使被拋光材料在化學和機械的共同作用下,材料表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。拋光液中的化學成分與材料表面進行化學反應,形成易拋光的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①傳遞材料去除所需的機械載荷;②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物(如工件碎屑、拋光碎片等);③使拋光液有效均勻分布至整個加工區域,且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環;④維持拋光過程所需的機械和化學環境。除拋光墊的力
        CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用[ 12-21 11:53 ]
          化學機械拋光(CMP)是半導體晶圓制造的關鍵步驟,這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術的關鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價值量,CMP耗材品質直接影響拋光效果,對提高晶圓制造質量至關重要。  CMP拋光液/墊技術壁壘較高,高品質的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環節。&nbs
        第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區別[ 11-03 17:35 ]
          隨著國家對第三代半導體材料的重視,近年來我國半導體材料市場發展迅猛,其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關注,兩者經常被拿來比較。  同為寬近帶半導體的成員,碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料,它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點。  隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求,這類材料的市場需求暴漲,適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同:高電子遷移
        藍寶石襯底拋光液--納米氧化鋁拋光液/研磨液[ 10-31 16:46 ]
          氧化鋁拋光液在LED行業的應用廣泛,如藍寶石襯底的CMP拋光,為避免大粒徑磨料對工件造成劃傷,通常選用粒徑為50∼200nm,且粒徑分布均勻的納米α-Al2O3磨料。為了確保藍寶石襯底能拋出均勻的鏡面光澤,需要提升CMP拋光液的切削速率及平坦化效果,吉致電子科技生產的氧化鋁拋光液/研磨液可專業用于藍寶石拋光,氧化鋁磨料具有分布窄,粒徑小,硬度高、尺寸穩定性好,α相轉晶完全,團聚小易分散等特點。  吉致電子對α-Al2O3顆粒的Zeta電位,以及拋光液添加穩定劑、分散劑的種類和質量都有
        半導體拋光中銅拋光液和鎢拋光液的區別[ 08-18 16:58 ]
          常用的半導體拋光液,按拋光對象的不同分W鎢拋光液、CU銅拋光液、氧化層拋光液、STI拋光液等。其中銅拋光液slurry主要應用于 130nm 及以下技術節點邏輯芯片的制造工藝,而鎢拋光液W slurry則大量應用于存儲芯片制造工藝,在邏輯芯片中用量較少。  銅拋光液,主要由腐蝕劑、成膜劑和納米磨料組成。腐蝕劑用來腐蝕溶解銅表面,成膜劑用于形成銅表面的鈍化膜,鈍化膜的形成可以保護腐蝕劑的進一步腐蝕,并可有效地降低金屬表面硬度。除此之外,CMP拋光液中經常添加一些化學試劑以調節PH值,為拋光過程
        打磨碳化硅需要哪種拋光墊?[ 08-17 16:41 ]
          打磨碳化硅需要哪種拋光墊?  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序:粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊:粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求,具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價比等優勢。結合硬質和軟質研磨拋光墊的優點,可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無紡布復合拋光墊,提供更快磨合的全局平坦性,提升碳化硅晶圓制程的穩定性與尺寸精密度。  壓紋和開槽工藝,讓PAD可保持拋光
        二氧化硅拋光液與硅溶膠拋光液有啥不同[ 08-11 16:04 ]
          二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經特殊工藝制備成的一種低金屬離子高純度CMP拋光產品。 硅溶膠拋光液是以液體形式存在,直徑為10-150nm的二氧化硅粒子(分散相)在水或有機液體(分散介質)里的分散體系,粒子的形貌多為球形,適用于各類工件的鏡面拋光,如金屬、藍寶石襯底、半導體、光學玻璃、精密電子元器件等的鏡面拋光。 本質上講二氧化硅拋光液、硅溶膠拋光液都是一種東西,主要成分都是SiO2只是叫法不同。在CMP研磨拋光工藝中,機器通過壓力泵把氧化硅拋光液輸送到拋光槽內進行循環使用,
        碳化硅Sic襯底加工流程有哪些[ 08-09 17:14 ]
        碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料,采用物理氣相傳輸法生長碳化硅晶體,加工制成碳化硅晶片,簡單流程可概括為原料合成→晶體生長→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合,在 2000C以上的高溫下反應合成碳化硅顆粒。再經過破碎、清洗等工序,制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長以高純度碳化硅微粉為原料,使用自主研制的晶體生長爐,采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內圓柱狀密閉的石墨甘場下部和頂部,通過電磁感應將
        半導體拋光---硅片拋光墊怎么選[ 08-08 16:31 ]
          硅片拋光涉及到半導體工件的技術加工領域,硅片拋光墊的多孔結構和軟性磨料材料,可以適應不同硅片材料的表面結構,達到不同表面加工的需求。在微電子、半導體、光電等領域中,CMP拋光墊的使用越來越廣泛,尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中,CMP拋光墊的質量和性能至關重要。   硅片拋光墊的主要作用有:①使拋光液有效均勻分布至整個加工區域,且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環;②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);③傳遞材料去除所需的
        藍寶石拋光用什么拋光液[ 07-28 17:29 ]
          在生產藍寶石襯底的時候產生裂痕和崩邊現象的比例比較高,占總是的5%-8%。我國藍寶石批量生產的技術還很不成熟,切割完的藍寶石晶片有很深的加工痕跡,拋光后易形成很深的麻坑或劃傷。因此需要通過CMP研磨拋光技術來達到工件平坦度,拋光過程中影響拋光質量的因素有很多,如拋光液的組分和PH值、壓力、溫度、流量、轉速和拋光墊的質量等。  藍寶石晶圓的拋光需要對拋光液材質有很高的要求,磨料太軟會導致拋光時間過長而拋光效果不理想。目前拋藍寶石合適的是鉆石拋光液,鉆石拋光液磨料是采用金剛石,有很高的硬度,搭配
        鎢鋼用什么研磨液和拋光液[ 06-07 11:22 ]
          硬質合金也就是鎢鋼,在現代工業中的應用非常廣泛,如鋼鐵、交通、建筑等領域對硬質合金的需求愈發旺盛,隨著對深加工產品需求的高漲,硬質合金將向精深加工、工具配套方向發展;向超細、超粗及涂層復合結構等方向發展;向循環經濟、節能環保方向發展;向精密化、小型化方向發展。那么鎢鋼研磨用什么拋光液?  鎢鋼用于高精度機械加工、高精度刀具材料、車床、沖擊鉆鉆頭、玻璃刀刀頭、瓷磚割刀之上。這類硬質工件需要經過研磨拋光工藝來達到使用標準。鎢鋼特點是耐磨、硬度高、韌性強,耐腐蝕等一系列優良性能,尤其它的高硬度和耐
        CMP常用化學拋光液有哪些[ 05-17 10:42 ]
           CMP技術(化學機械研磨)是現代半導體制造中非常重要的一項技術,在半導體制造中的應用最多,通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質,達到工件表面平坦化,保證晶體管等器件的性能穩定性。   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分,它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物,以達到平坦化的效果。CMP常用化學拋光液有哪些?常見的CMP化學拋光液有氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鈰(CeO2)氮化硅(Si3N4)等。不同的
        如何解決氧化硅拋光液結晶問題[ 05-09 17:17 ]
         二氧化硅拋光液在拋光過程中會出現結晶結塊的現象,雖然不是大問題但如果處理不當,很可能會導致工件表面劃傷甚至報廢,那么怎么解決氧化硅拋光液結晶問題呢?  首先要了解硅溶膠拋光液的特點屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產品。在水性環境中容易形成一種離子網狀結構,而一脫離了水份,表面積迅速凝結形成結晶塊,所以只要保持水分基本上是不會出現結晶現象。在實際CMP拋光工藝當中硅溶膠拋光液會一直在研磨盤轉動、流動,結晶情況較少。  因此氧化
        藍寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實現高平坦度表面[ 04-26 11:10 ]
          吉致電子藍寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍寶石拋光液。專業用于藍寶石襯底、外延片、窗口、藍寶石wafer的減薄和拋光。藍寶石拋光液由純度高的磨粒、復合分散劑和分散介質組成,具有穩定性高、不沉降不易結晶、拋光速度快的優點。   通過CMP工藝搭配藍寶石專用slurry可實現藍寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會對加工件造成物理損傷,達到精密加工。藍寶石CMP拋光液的低金屬的成分,可以有效防止產品受到污染。  &n
        不銹鋼工件原始品質對CMP拋光效果的影響[ 02-16 15:22 ]
          不銹鋼鏡面拋光效果的優良,不僅取決于拋光方案設計、拋光耗材(CMP拋光液、拋光墊)選擇和拋光參數設置,不銹鋼拋光工件的原始品質也影響到最終的拋光的效果。當拋光效果不盡人意時,不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質進行評估和優化,同時對于工件的質量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質對CMP拋光工藝的影響1.優質的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質量的前提條件,工件表面硬度不均或特性上有差異都會對拋光產生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨,若未在加
        吉致電子---氧化鈰研磨液在半導體CMP制程中的作用[ 02-10 13:09 ]
          粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導體芯片制程:應用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關鍵技術,目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進行二氧化硅沉積、后用CMP技術進行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料,在拋光效率及效果上均優于其他產品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C
        吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業的應用[ 02-09 13:14 ]
          CMP化學機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業等減薄與平坦化拋光,吉致電子拋光液在半導體行業的應用,主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序,包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據工件參數要求,需要調整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質、結構及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素,直接影響工件表面的拋光質量。  在半導體行業CMP環節之中,也存在
        藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液[ 02-06 16:10 ]
        藍寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液?藍寶石拋光液是以高純度硅粉為原料,經特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液,是一種高純度的氧化硅拋光液,廣泛應用于多種材料的納米級高平坦化拋光。吉致電子生產的藍寶石拋光液主要用于藍寶石襯底研磨減薄,藍寶石A向拋光液,藍寶石C向拋光液等。拋光范圍如:硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍寶石拋光液Sapphire Slurry的特點:1.高純度(Cu含量小于50 ppb),有效減小對電子類產品的污染。2.高拋光速率,利用大粒徑的膠
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